EUV與現(xiàn)有光刻技術(shù)的主要區(qū)別，在于極紫外投影光刻系統(tǒng)使用了反射式掩模。反射式掩模采用堅(jiān)固的背支撐結(jié)構(gòu)．可以有效地防止由裝校應(yīng)力以及熱應(yīng)力產(chǎn)生的變形；透射式掩模則因?yàn)槠鋵?duì)工作光束的強(qiáng)烈吸收與熱應(yīng)力變形之間的矛盾不能協(xié)調(diào)解決而無法在13nm 光刻技術(shù)中得到應(yīng)用。研究表明，EUV掩膜缺陷密度應(yīng)為18nm 節(jié)點(diǎn)0．O03defects／cm2。

最新的數(shù)據(jù)認(rèn)為，最終量產(chǎn)時(shí)的目標(biāo)達(dá)到0.01defeets/cm2即可。但如今的EUV掩膜缺陷仍高達(dá)ldefect／cm2，任務(wù)非常艱巨。要使檢測(cè)機(jī)臺(tái)的水平滿足芯片制造的要求，EUV光源的亮度而非能量，仍需大幅改善。這是因?yàn)镋UV光刻機(jī)的NA非常小，測(cè)量機(jī)臺(tái)只能覆蓋光源較小的一部分，高能量光源對(duì)于測(cè)量機(jī)臺(tái)來說太大太昂貴。在這一點(diǎn)上，LPP光源更小更亮，較DPP更有優(yōu)勢(shì)

Sematech光刻膠測(cè)試中心(RTC)的研究人員最近表示(2008年9月)，他們已經(jīng)通過化學(xué)特征增強(qiáng)的EUV光刻膠平臺(tái)，獲得了22nm半節(jié)距分辨率，曝光速度為15mJ／cm ，線寬粗糙度(LWR)達(dá)到5-6nm。RTC表示，盡管LWR仍高于ITRS技術(shù)要求，但通過處理和刻蝕工藝，LWR可以降低到DRAM／NAND應(yīng)用中早期采用者可接受的程度。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在22 nm節(jié)點(diǎn)EUV光刻將是有力的競爭方案。^[3]

2009年英特爾公司對(duì)EUV抗蝕劑提出的要求簡要介紹如表1 。研發(fā)符合英特爾公司圖形要求的EUV抗蝕劑是一個(gè)重要的挑戰(zhàn)。

研發(fā)符合英特爾公司圖形要求的EUV抗蝕劑是一個(gè)重要的挑戰(zhàn)。因此應(yīng)用于EUV的化學(xué)增幅型抗蝕劑需要具備如下的特征：

①低吸光率，高透明度；

②高的抗蝕刻性；

③ 高分辨率；

④ 高感度，曝光劑量小于10 mJ／cm ；

⑤高的環(huán)境穩(wěn)定性；

⑥低的產(chǎn)氣作用，產(chǎn)氣材料能在光學(xué)元件上沉積減少原件

的反射率和壽命；

⑦低的線邊緣粗糙度；

⑧側(cè)壁角度不小于85°。